Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMT6010LFG-7
MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMT6010LFG
DMT6010LFG-7 Hakkında
DMT6010LFG-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 13A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. PowerDI3333-8 paketinde sunulan bu bileşen, 7.5mOhm (10V, 20A koşullarında) düşük RDS(on) değeri sayesinde anahtarlama uygulamalarında yüksek verimlilik sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, sürücü devreler, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. 41.3nC gate charge ve 2090pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2090 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.2W (Ta), 41W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI3333-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok