Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMT6010LFG-13

MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
DMT6010LFG

DMT6010LFG-13 Hakkında

DMT6010LFG-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj ve 13A (Ta) / 30A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. PowerDI3333-8 paketinde gelen bu bileşen, 7.5mΩ (10V, 20A) açık durumda direnç (Rds On) değerine sahiptir. 2.2W (Ta) / 41W (Tc) güç tüketimi özellikleriyle güç yönetimi, motor kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu MOSFET, düşük kapı yükü (41.3nC @ 10V) sayesinde hızlı anahtarlama gerektiren DC-DC dönüştürücüler, solenoid sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta), 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2090 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.2W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PowerDI3333-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok