Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMT6009LSS-13

MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
DMT6009LSS

DMT6009LSS-13 Hakkında

DMT6009LSS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 10.8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 9.5mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Surface mount 8-SO paketinde sunulan bu komponentin gate charge değeri 33nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve yük anahtarlaması gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1925 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok