Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMT6009LK3-13

MOSFET N-CH 60V 13.3A/57A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
DMT6009LK3

DMT6009LK3-13 Hakkında

DMT6009LK3-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 13.3A sürekli dren akımı (Ta) ile tasarlanmıştır. 10mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu transistör, güç dönüştürme devrelerinde, motor kontrolünde, anahtarlama uygulamalarında ve DC-DC konvertörlerde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 10V gate voltajında 33.5nC gate charge değerine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.3A (Ta), 57A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1925 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 13.5A, 10V
Supplier Device Package TO-252-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok