Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMT6009LJ3
MOSFET N-CH 60V 74.5A TO251
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMT6009LJ3
DMT6009LJ3 Hakkında
DMT6009LJ3, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj ve 74.5A sürekli akım kapasitesi ile güç anahtarlama ve doğrultma uygulamalarında kullanılır. 10mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp karakteristiğine sahiptir. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, motorlu cihazlar, güç kaynakları ve anahtarlamalı regülatörlerde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 74.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1925 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.9W (Ta), 83.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 13.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok