Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMT6009LFG-7
MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMT6009LFG
DMT6009LFG-7 Hakkında
DMT6009LFG-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drain akımı (Ta @ 25°C) kapasitesine sahiptir. 10mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp ve verimli anahtarlama özellikleri sunar. PowerDI3333-8 Surface Mount paketinde gelmektedir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC konverterler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılmaktadır. Gate charge değeri 33.5nC @ 10V olup hızlı ve stabil anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 34A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1925 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.08W (Ta), 19.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 13.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI3333-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok