Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMT6007LFGQ-7

MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
DMT6007LFGQ

DMT6007LFGQ-7 Hakkında

DMT6007LFGQ-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim ve 15A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 6mΩ Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. PowerDI3333-8 surface mount paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve ticari uygulamalarda güvenilir çalışma sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Ta), 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2090 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PowerDI3333-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok