Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMT6007LFGQ-13
MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMT6007LFGQ
DMT6007LFGQ-13 Hakkında
DMT6007LFGQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 15A sürekli dren akımı ile çalışmak üzere tasarlanmıştır. PowerDI3333-8 yüzey montajlı paketinde sunulmakta olup, 6mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük konmutasyon kayıpları sağlar. Gate charge değeri 41.3nC olup hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama kaynakları ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta), 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2090 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.2W (Ta), 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI3333-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok