Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMT5015LFDF-13

MOSFET N-CH 50V 9.1A 6UDFN

Paket/Kılıf
6-UDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
DMT5015LFDF

DMT5015LFDF-13 Hakkında

DMT5015LFDF-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 50V drain-source voltajı ve 9.1A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 6-UDFN yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük 15mOhm on-direnç değeri sayesinde verimli güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Gate charge 14nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri gerektiren DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler ve anahtarlamalı güç kaynağı devreleri gibi endüstriyel ve consumer elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve maksimum 820mW güç disipasyonu sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 902.7 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 820mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package U-DFN2020-6 (Type F)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok