Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMT31M6LPS-13
MOSFET N-CH 30V 35.8A PWRDI5060
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMT31M6LPS
DMT31M6LPS-13 Hakkında
DMT31M6LPS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Vdss ile 35.8A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 1.35mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalar için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. PowerDI5060-8 yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörleri ve motorlu sistemlerde yaygın olarak kullanılmaktadır. 123nC gate charge ve 7019pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 123 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7019 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI5060-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok