Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMT3009UFVW-7

MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
DMT3009

DMT3009UFVW-7 Hakkında

DMT3009UFVW-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj derecesi ve 10.6A sürekli (Ta) ile 30A pik drain akımı kapasitesine sahiptir. 11mΩ maksimum on-resistance değeriyle (Vgs=10V, Id=11A) düşük güç kaybı sağlar. PowerDI3333-8 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Gate charge 7.4nC ve input capacitance 894pF gibi düşük parazitik parametreler hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilmesini sağlar. DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.6A (Ta), 30A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 894 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.2W (Ta), 2.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok