Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMT3009UFVW-13

MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
DMT3009UFVW

DMT3009UFVW-13 Hakkında

DMT3009UFVW-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 10.6A (Ta) / 30A (Tc) sürekli akım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 11mOhm (10V, 11A) on-state direnci düşük güç kaybı sağlar. PowerVDFN 8-pin yüzey monte paketi içinde sunulur. Anahtarlama devreler, motor kontrol, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 1.2W (Ta) / 2.6W (Tc) maksimum güç tüketimine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.6A (Ta), 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 894 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.2W (Ta), 2.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok