Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMT3009LFVWQ-13

MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
DMT3009

DMT3009LFVWQ-13 Hakkında

DMT3009LFVWQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ile 12A sürekli drain akımında çalışan bu komponent, PowerDI3333-8 paketinde sunulmaktadır. Düşük 11mOhm on-resistance değeri ile anahtarlama uygulamalarında güç kaybını minimize eder. Gate charge karakteristiği (12nC) hızlı anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu FET, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol, LED sürücüleri ve yük anahtarlaması gibi uygulamalarda kullanılır. Surface mount tasarımı kompakt PCB düzenlemelerine uygun olup, endüstriyel ve tüketici elektronikleri ürünlerinde yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 3.8V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 823 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.3W (Ta), 35.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 14.4A, 10V
Supplier Device Package PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok