Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMT3009LFVW-7

MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
DMT3009

DMT3009LFVW-7 Hakkında

DMT3009LFVW-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 12A sürekli dren akımı (Ta) ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 11mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount PowerVDFN paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. DC/DC konvertörleri, motor sürücüleri, güç dağıtım modülleri ve yüksek frekans anahtarlamalı devrelerde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 3.8V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 823 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 14.4A, 10V
Supplier Device Package PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok