Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMT3009LFVW-13

MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
DMT3009

DMT3009LFVW-13 Hakkında

DMT3009LFVW-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ile tasarlanmış olan bu bileşen, 12A sürekli drenaj akımı ve 11mOhm maksimum gate-source direnci ile güç uygulamalarında kullanılır. PowerDI3333-8 paketinde sunulan DMT3009, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilmektedir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilen transistör, 823pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama sürelerini destekler. Surface Mount montajına uygun wettable flank özelliğiyle PCB üretim süreçlerinde kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 3.8V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 823 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 14.4A, 10V
Supplier Device Package PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok