Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMT3006LFDF-13

MOSFET N-CH 30V 14.1A 6UDFN

Paket/Kılıf
6-UDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
DMT3006LFDF

DMT3006LFDF-13 Hakkında

DMT3006LFDF-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 14.1A sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 6-UDFN yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 7mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. 22.6nC gate charge ve 1320pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenli işlem yapabilen bu MOSFET, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 800mW maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımlarda entegrasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 3.7V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1320 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package U-DFN2020-6 (Type F)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok