Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMT15H017LPS-13

MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
DMT15H017LPS

DMT15H017LPS-13 Hakkında

DMT15H017LPS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 9.4A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 17.5mΩ maksimum on-direnç (Rds on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. PowerDI5060-8 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, sürücü kademelerinde ve güç dönüştürme sistemlerinde yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 50nC maksimum gate charge değeri, hızlı anahtarlama performansı sunar. Surface mount teknolojisini kullanan bu transistör, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.4A (Ta), 58A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3369 pF @ 75 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.5mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PowerDI5060-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok