Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMT12H090LFDF4-13
MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-PowerXDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMT12H090LFDF4
DMT12H090LFDF4-13 Hakkında
DMT12H090LFDF4-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 115V drain-source gerilim (Vdss) ve 3.4A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 90mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 6-PowerXDFN (X2-DFN2020-6) yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. ±12V gate gerilim aralığına ve 2.2V eşik gerilimi (Vgs(th)) karakteristiğine sahiptir. Güç elektroniği uygulamaları, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor sürücü sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 900mW maksimum güç tüketimi kapasitesi ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 115 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 251 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-PowerXDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 900mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | X2-DFN2020-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok