Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMT12H065LFDF-7
MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMT12H065LFDF
DMT12H065LFDF-7 Hakkında
DMT12H065LFDF-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 115V drain-source gerilim (Vdss) ve 4.3A sürekli drain akımı (Id) kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 65mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 6-UDFN (2020) yüzeye monte paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygundur. Gate charge değeri 5.5nC olup hızlı anahtarlama operasyonları destekler. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç yönetimi ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 10V gate gerilimi ile tam açılma karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 115 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 252 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | U-DFN2020-6 (Type F) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok