Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMT12H007LPS-13
MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMT12H007LPS
DMT12H007LPS-13 Hakkında
DMT12H007LPS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli N-Channel MOSFET transistördür. 120V Drain-Source gerilimi ve 90A sürekli drenaj akımı ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 7.8mOhm'luk düşük on-resistance değeri ısıl kayıpları minimize eder. PowerDI5060-8 SMD paket ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun olup, AC-DC konvertörleri, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve güç dağıtım sistemlerinde uygulanır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3224 pF @ 60 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.9W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI5060-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok