Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMT10H072LFV-7

MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
DMT10H072LFV

DMT10H072LFV-7 Hakkında

DMT10H072LFV-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source voltaj derecelendirmesi ve 4.7A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 62mOhm maksimum on-direniş (RDS On) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Surface Mount PowerVDFN-8 paketinde sağlanan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve anahtarlı güç uygulamalarında yaygın olarak yer alır. 4.5nC gate charge ile hızlı komütasyon özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.7A (Ta), 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 228 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 62mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package PowerDI3333-8 (Type UX)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok