Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMT10H072LFV-13

MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
DMT10H072LFV

DMT10H072LFV-13 Hakkında

DMT10H072LFV-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. 4.7A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 62mΩ On-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç elektroniği, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. Surface Mount PowerDI3333-8 paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Gate charge değeri 4.5nC olup hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.7A (Ta), 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 228 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 62mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package PowerDI3333-8 (Type UX)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok