Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMT10H072LFDFQ-7
MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMT10H072LFDFQ
DMT10H072LFDFQ-7 Hakkında
DMT10H072LFDFQ-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source gerilim kapasitesi ve 4A sürekli dren akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 6-UDFN yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, düşük 62mOhm on-resistance (Rds On) değeri sayesinde verimliliğe katkı sağlar. Anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetim uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 228 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | U-DFN2020-6 (Type F) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok