Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMT10H072LFDF-7
MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMT10H072LFDF
DMT10H072LFDF-7 Hakkında
DMT10H072LFDF-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj kapasitesi ve 4A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 62mOhm on-state direncine (10V, 4.5A) sahip olan bu bileşen, düşük güç kaybı gerektiren anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç dönüştürücüler ve solenoid sürücülerinde yer alabilir. 6-UDFN Surface Mount paketinde sunulan komponentin çalışma sıcaklığı -55°C ile 150°C arasında değişmektedir. 5.1nC gate charge ve 266pF input capacitance değerleri hızlı switching işlemlerine olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 266 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | U-DFN2020-6 (Type F) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok