Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMT10H072LFDF-13
MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMT10H072LFDF
DMT10H072LFDF-13 Hakkında
DMT10H072LFDF-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 4A sürekli drenaj akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 62mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 6-UDFN yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Düşük gate charge (5.1nC) ve küçük input capacitance (266pF) değerleri hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 266 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | U-DFN2020-6 (Type F) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok