Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMT10H025SSS-13
MOSFET N-CH 100V 7.4A 8SO
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMT10H025SSS
DMT10H025SSS-13 Hakkında
DMT10H025SSS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ile 7.4A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 23mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. ±20V gate gerilimi aralığına ve 4V eşik gerilimi ile sürücü devreleri, DC-DC konvertörleri, motor kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1544 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok