Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMT10H025SK3-13
MOSFET N-CH 100V 41.2A TO252 T&R
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMT10H025SK
DMT10H025SK3-13 Hakkında
DMT10H025SK3-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltajında 41.2A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 23mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252 (D-Pak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, şarj kontrolü, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. 4V threshold voltajı ile düşük gate sürüş gerilimi gerektiren tasarımlara entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 41.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1544 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok