Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMT10H025LK3-13

MOSFET N-CH 100V 47.2A TO252 T&R

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
DMT10H025LK3

DMT10H025LK3-13 Hakkında

DMT10H025LK3-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj dayanımı ve 47.2A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (D-Pak) yüzey montaj paketinde sunulur. 22mOhm maksimum on-state direnci (10V Vgs'de 20A'da) ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve yük anahtarlaması gibi uygulamalarda kullanılan, endüstriyel ve tüketici elektroniği ürünlerinde yaygın olarak tercih edilen bir bileşendir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 47.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1477 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok