Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMT10H015SPS-13

MOSFET N-CH 100V PWRDI5060

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
DMT10H015SPS

DMT10H015SPS-13 Hakkında

DMT10H015SPS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj ve 16mΩ on-resistance (Rds On) ile tasarlanmıştır. 7.3A (Ta) / 44A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. PowerDI5060-8 yüzey montajlı paket içinde sunulmaktadır. 33.3nC gate charge ve 1871pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanır. 1.3W (Ta) / 46W (Tc) güç dağılım kapasitesi bulunmaktadır. DC/DC konvertörleri, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve anahtarlamalı güç uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.3A (Ta), 44A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1871 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PowerDI5060-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok