Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMT10H015SK3-13
MOSFET N-CH 100V 54A TO252
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMT10H015SK3
DMT10H015SK3-13 Hakkında
DMT10H015SK3-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 54A sürekli drenaj akımı ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, DC-DC konvertörlerde, motor sürücülerinde ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 14mOhm (10V, 20A koşullarında) düşük RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Gate charge değeri 30.1nC olup, 4V eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 54A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2343 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok