Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMT10H015LK3-13
MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMT10H015LK3
DMT10H015LK3-13 Hakkında
DMT10H015LK3-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source gerilimi ve 50A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 15mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 2.9W güç saçabilme kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1871 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok