Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMT10H015LFG-7
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMT10H015LFG
DMT10H015LFG-7 Hakkında
DMT10H015LFG-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 13.5mOhm düşük on-state direnci sayesinde ısı kaybını minimize eder. 8-pin PowerVDI3333-8 yüzey montajlı paket ile yüksek yoğunluk tasarımlarında kullanılabilir. Güç kaynağı denetimi, motor kontrol, DC-DC konvertörler ve yük anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 35W güç disipasyonu kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 42A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1871 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI3333-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok