Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMT10H015LCG-7
MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMT10H015LCG
DMT10H015LCG-7 Hakkında
DMT10H015LCG-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj derecelendirilmesi ile 9.4A sürekli akım kapasitesi (Ta) ve 34A (Tc) özelliklerine sahiptir. 15mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount 8-PowerVDFN pakette sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 155°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygun hale getirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.4A (Ta), 34A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1871 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | V-DFN3333-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok