Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMT10H015LCG-13

MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
DMT10H015LCG

DMT10H015LCG-13 Hakkında

DMT10H015LCG-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj (Vdss) ve 34A kontinü akım kapasitesine sahip bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 15mΩ on-state direnci (Rds On @ 10V) ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 8-PowerVDFN paketinde sunulan DMT10H015LCG-13, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç dağıtım sistemlerinde yaygın olarak uygulanmaktadır. ±20V gate voltaj aralığında çalışır ve -55°C ile +155°C sıcaklık aralığında stabil performans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.4A (Ta), 34A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1871 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 155°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package V-DFN3333-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok