Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMT10H014LSS-13
MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMT10H014LSS
DMT10H014LSS-13 Hakkında
DMT10H014LSS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj ve 8.9A sürekli drenaj akımı ile çalışmaya uygun bir yarı iletken bileşendir. 8-SO (8 ayaklı SO paket) yüzey montaj tipinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. RDS(on) değeri 10V gate voltajında 15mOhm olup, düşük açılış direnci sayesinde enerji kaybı sınırlıdır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, motor denetim devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve güç anahtarlaması gereken uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1871 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok