Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMT10H010LSS-13
MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMT10H010LSS
DMT10H010LSS-13 Hakkında
DMT10H010LSS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj kapasitesi ile 11.5A (Ta) / 29.5A (Tc) sürekli drain akımını destekler. 9.5mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. ±20V gate voltaj aralığında çalışır ve 71nC gate charge değerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A (Ta), 29.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok