Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMT10H010LPS-13
MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMT10H010LPS
DMT10H010LPS-13 Hakkında
DMT10H010LPS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 9.4A sürekli drenaj akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir komponenttir. 9.5mΩ On-resistance (RdsOn) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. PowerTDFN 8-pin paket içinde sunulan bu transistör, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler, güç anahtarlaması ve solar inverter uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 139W güç dağıtım kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.4A (Ta), 98A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta), 139W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI5060-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok