Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMT10H010LCT

MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
DMT10H010L

DMT10H010LCT Hakkında

DMT10H010LCT, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilim dayanımına ve 98A sürekli drenaj akımına sahip olan bu bileşen, güç dönüştürme, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, 9.5mΩ (10V, 13A'da) düşük on-direnci, 71nC gate yükü ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ile karakterizedir. 10V ve 4.5V kapı sürme geriliminde optimize edilen tasarımı, endüstriyel ve tüketici uygulamalarında verimli anahtarlama sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 98A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok