Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMT10H009SPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMT10H009SPS
DMT10H009SPS-13 Hakkında
DMT10H009SPS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ve 14A sürekli drenaj akımı (Ta: 25°C) kapasitesine sahiptir. 8.5mOhm maksimum on-resistance (RDS(ON)) ile düşük iletim kaybı sağlar. PowerDI5060-8 SMD paketinde sunulan bu komponent, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 30nC gate charge ve 2085pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta), 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2085 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI5060-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok