Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMT10H009LSS-13

MOSFET N-CH 100V 13A/48A 8SO T&R

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
DMT10H009LSS

DMT10H009LSS-13 Hakkında

DMT10H009LSS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ile tasarlanmış olup, 13A (Ta) / 48A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 9mOhm maksimum RDS(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount 8-SO paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol devrelerinde ve güç kaynağı tasarımlarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta), 48A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2309 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok