Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMT10H009LPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMT10H009LPS
DMT10H009LPS-13 Hakkında
DMT10H009LPS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 8mOhm (10V, 20A) düşük RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. PowerDI5060-8 yüzey montajlı paketinde sunulur. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenli operasyon yapabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2309 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI5060-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok