Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMT10H009LH3
MOSFET N-CH 100V 84A TO251
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMT10H009LH
DMT10H009LH3 Hakkında
DMT10H009LH3, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim ve 84A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 9mΩ on-state direnci ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygun olup, maksimum 96W güç yayabilir. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor denetimi, güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 4.5V ile 10V arasında değişken gate sürme gerilimi gerektirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 84A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2309 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok