Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMT10H009LFG-7
MOSFET N-CH 100V 13A/50A PWRDI
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMT10H009LFG
DMT10H009LFG-7 Hakkında
DMT10H009LFG-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj derecesi ve 50A maksimum drain akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 8-pin PowerDI kasa tipinde surface mount montajı sunar. 10V gate voltajında 8.5mΩ maksimum on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Switch-mode güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve yüksek akımlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. PowerDI3333-8 paket yapısı ısı yönetimi için optimize edilmiştir ve 30W termal güç disipasyonuna kadar destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2361 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI3333-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok