Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMT10H009LFG-13
MOSFET N-CH 100V 13A/50A PWRDI
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMT10H009LFG
DMT10H009LFG-13 Hakkında
Diodes Incorporated tarafından üretilen DMT10H009LFG-13, N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ile 13A sürekli akım (Ta'da) ve 50A akım (Tc'de) kapasitesine sahiptir. 8-PowerVDFN paket tipi ile yüzey montajlı uygulamalara uygundur. 8.5mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC konverterler ve motor sürücü uygulamalarında kullanılır. 2W (Ta) ve 30W (Tc) maksimum güç dağıtım kapasitesi ile orta güçlü endüstriyel ve tüketici uygulamaları için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2361 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI3333-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok