Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMT10H009LCG-7
MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMT10H009LCG
DMT10H009LCG-7 Hakkında
DMT10H009LCG-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ile çalışabilen bu bileşen, 12.4A sürekli dren akımı (Ta) ve 47A maksimum dren akımı (Tc) sağlar. 8.8mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sunar. 8-PowerVDFN SMD paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 4.5V ve 10V gate drive voltajlarında optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.4A (Ta), 47A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2309 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | V-DFN3333-8 (Type B) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok