Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMS3015SSS-13

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
DMS3015SSS

DMS3015SSS-13 Hakkında

DMS3015SSS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 11A sürekli Drain akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Entegre Schottky diyot (body diode) özelliği sayesinde geri akım koruması sağlar. 10V gate sürme geriliminde 11.9mΩ açık kanal direnci (RDS(on)) ile verimli anahtarlama performansı sunar. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ +150°C) güvenilir operasyon garantiler. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç yönetimi, anahtarlama güç kaynakları ve düşük voltaj uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature Schottky Diode (Body)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1276 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.55W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.9mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok