Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMPH6050SFGQ-7
MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMPH6050SFGQ
DMPH6050SFGQ-7 Hakkında
DMPH6050SFGQ-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi (Vdss) ve 6.1A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 50mOhm'luk düşük on-direnci (Rds(on)) ve yüksek hız kapasitanslı gate uygulamasıyla enerji verimliliği sağlar. PowerDI3333-8 paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve inverter, motor kontrol, güç kaynakları gibi anahtarlama devrelerinde tercih edilir. 10V gate sürme geriliminde optimize edilen RDS(on) değeri, switcher tasarımlarında verimli kullanım imkanı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.1A (Ta), 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1293 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI3333-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok