Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMPH6050SFGQ-13

MOSFET P-CH 60V PWRDI3333

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
DMPH6050SFGQ

DMPH6050SFGQ-13 Hakkında

DMPH6050SFGQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilim desteği ve 6.1A (Ta) / 18A (Tc) kesintisiz dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. PowerVDFN 8-pin yüzey montaj paketi içinde sunulmaktadır. 50mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu bileşen, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, motorlar ve pil yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 3V eşik gerilimi ile çeşitli kontrol devrelerine entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.1A (Ta), 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1293 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 7A, 10V
Supplier Device Package PowerDI3333-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok