Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMPH3010LPSQ-13
MOSFET P-CH 30V 60A PWRDI5060-8
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMPH3010LPSQ
DMPH3010LPSQ-13 Hakkında
DMPH3010LPSQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ve 60A sürekli drenaj akımı ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 7.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. PowerDI5060-8 yüzey montajlı paket tipi ile kompakt tasarımlara uygun olup, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama devrelerine ve batarya yönetim sistemlerine başvurulur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 2.6W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 139 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6807 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI5060-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok