Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMPH1006UPS-13
MOSFET P-CH 12V 80A PWRDI5060-8
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMPH1006UPS
DMPH1006UPS-13 Hakkında
DMPH1006UPS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 6mOhm'luk düşük açık-devre direnci (Rds On), anahtarlama kayıplarını minimize eder. PowerDI5060-8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Otomotiv, endüstriyel kontrol, güç dönüştürme ve pil yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 3.2W maksimum güç yayılımı ve 124nC gate yükü özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 124 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6334 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 15A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerDI5060-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok